US1M-ASEMI是属于快恢复二极管吗？US1M的电性参数是：正向电流(Io)为1A，反向耐压为1000V，正向电压(VF)为1.7V，其中有2条引线。US1M参数描述 型号：US1M 封装：SMA 特性：小电流、贴片 电性参数：1A 1000V 芯片材质：GPP 正向电流(Io)：1A 芯片。
1、ASEMI高效恢复二极管US1M和US1G有什么区别？型号：US1M 封装：SMA 特性：小电流、贴片 电性参数：1A 1000V 芯片材质：GPP 正向电流(Io)：1A 芯片个数：1 正向电压(VF)：1.7V 浪涌电流If *** ：30A 漏电流(Ir)：5uA 工作温度：-55~+150℃ 恢复时间(Trr)：。
2、ASEMI-US1M快恢复二极管的反向恢复时间是多少？快恢复二极管US1M参数：型号：US1M 最大重复峰值反向电压（VRRM）：1000V 最大RMS电桥输入电压（VRMS）：700V 最大直流阻断电压（VDC）：1000V 最大平均正向整流输出电流（IF(AV)）：1.0A 峰值正向浪涌电流（IFSM）：30A 。
3、US1G/US1M这两个ASEMI的快恢复二极管参数是一样的吗？US1G是高效整流二极管，其参数：最高反向峰值电压：400Vpk 最大平均整流电流：1.0Aav 最大峰值浪涌电流：30Apk 最大反向漏电流：OUds 正向压降：1.0Vpk 最大反向恢复时间：50ns US1M是超快速整流二极管，其参数：正向。
4、ASEMI快恢复二极管RS1M、US1M和US1G能相互代换吗。US1M参数描述 型号：US1M 封装：SMA 峰值重复反向电压（VRRM）：1000V 平均整流正向电流（IF）：1A 非重复峰值浪涌电流（IFSM）：30A 最大瞬时正向电压（VF）：1.7V 最大瞬时反向电流（IR）：5uA 最大反向恢复时间（trr。
5、二极管US1M在电路中的具体作用？请详细说明。US1M是超快速整流二极管，正向电流1A，反向电压1000V，恢复时间75nS，SMA封装。一般用于小型开关电源的整流输出，或作为续流二极管、保护二极管。
1、USIM二极管内阻越大越好吗。你这个二极管型号应该叫US1M，标准反向雪崩电压（VB）应该是1000V，实际在1100V左右，理论是是内阻越大越好，不过内阻大了肯定就会影响到二极管的正向压降（VF）和反向恢复时间（TRR），所以要根据你的实际应用，只要内阻够用就。
2、US1M贴片二极管与RS1M贴片二极管有什么区别？它们的不同点：RS1M是快速恢复二极管，反向恢复时间小于500nS，正向电压小于1.3V；US1M是超快速恢复二极管，反向恢复时间小于75nS，正向电压小于1.7V。它们都是用在高频电路中做整流使用，但US1M使用的频率更高，但US1M的正向。
3、rs1m的二极管能用那种替代？US1M为高效整流二极管，而RS1M是快恢复二极管，二者不可替换，具体的区别请看下方。US1M，电流A，电压1000V，反向恢复时间75ns(纳秒)，正向压降1.7v，规格书：点击查看 RS1M，电流1A，电压1000V，反向恢复时间500ns(纳秒)，正向压降
4、快恢复二极管是什么？快恢复二极管：有0.8-1.1V的正向导通压降，35-85nS的反向恢复时间，在导通和截止之间迅速转换，提高了器件的使用频率并改善了波形。结构特点：快恢复二极管的内部结构与普通二极管不同，它是在P型、N型硅材料中间增加了基。